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来源:亚成微电子 发布时间:2018-11-16 阅读次数:

1.RM9001DA(DB)简介

        RM9001DA是一款四通道恒流控制芯片,可以实现恒功率,低谐波(THD),芯片具有智能温度保护功能(OTP),系统应用稳定,RM9001DA封装形式:ESOP8。

        RM9001DB是在RM9001DA的基础上改变封装形式,目的是在多颗芯片并联的时候,可以尽可能减少外围的0R跳线电阻。RM9001DA可以应用在小功率的有谐波要求的方案上,成本较RM9001DB便宜,大功率投光灯方案建议使用RM9001DB-ESOP16方案,系统成本更低。

        芯片具有功率补偿功能,可以实现高压(180V-260V),低压(90V-150V)输入电压变化时,功率保持恒定。
        芯片输出电流为正弦电流波形,THD参数可以满足IEC-61000-3-2(C级)要求。      
        芯片过温保护点(130℃),表面温度。
        封装形式:RM9001DA - ESOP8,RM9001DB - ESOP16。

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2.RM9001DA原理图

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注:单颗芯片建议功率最大做到15W(230Vin),更大功率方案可以采用多颗芯片并联使用。


RM9001DB  ESOP16  减少0R跳线电阻设计


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注:RM9001DB   ESOP16  主要应用于投光灯项目,主要特点是可以完全不用跳线0R电阻,最大程度节约BOM成本,单颗芯片可以做到15W(230Vin)。


3.RM9001DA(DB)功率调整

  RM9001DA(DB)调整输入功率仅仅通过调整一个电阻就可以,如图中CS1.计算方法如下:

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OUT1~OUT4随着输入电压升高,逐级开启,系统各端口的电流如下:

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系统输出的平均电流等于各个端口电流值的平均叠加,Vcp的取值范围介于0.4V~4.2V,建议调整Vcp电压到1.5V左右为最优的方案参数,保证功率恒定,2号脚位(VDD)连接电容主要作用是给芯片供电具体参数为(4.7uF/16V)-最优值。3号脚位(COMP)连接电容主要作用是调整In,也就是1号脚CS取样电阻上的平均电流,具体参数为(220nF/16V)-最优值。


4.RM9001DA(DB)灯珠比例设置

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注:按照建议的灯珠比例设置可以获得较好的光效和较高的功率因数,THD满足C级谐波标准,因为不同客户方案应用不相同,在表中给定的灯珠比例数量的情况下,为了布线方便可以根据实际情况适当调整每一段的灯珠颗数,不会对光效和功率因数及THD有大的影响,实际情况以测试数据为准。


5. RM9001DA(DB) 雷击浪涌设计

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交流输入端FR1(保险电阻),可以根据实际客户要求,决定是否需要添加,主要目的是安规需要。

交流输入端串联的抗浪涌保护线绕电阻,如图FR2,FR3,可以明显改善抗雷击浪涌,阻值越大,效果越明显,但是电阻越大,功耗也越大。根据输入电流,以计算,选取合适阻值和功率的抗浪涌保护线绕电阻,并留适当的裕量。

大功率应用时,如果要通过更高要求的浪涌电压,可以采取使用两级压敏,如:前级使用14D471,后级使用10D471方案。

大功率投光灯方案,L N->PE也会有要求,线对壳体的耐压测试主要考验的是铝基板的耐压,对铝基板的耐压要求很高,如果要测试L N->PE,可以考虑使用高耐压的铝基板,或者考虑在壳体和铝基板之间增加导热硅胶垫。

大功率投光灯方案在抗雷击能力和传导(EMI)方面,LED及芯片的引脚铜箔面积增加会导致抗雷击和传导(EMI)数据变差,在线路板布板的时候,保证通过电流的情况下铜箔的宽度不要超过LED焊盘宽度,如下图:

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 大功率投光灯应用时可以在芯片(RM9001DA)5号脚对地接一个高压贴片电容(EC1),容量103/500V(or)1000V,可以提高IC的抗雷击能力。                           

6. RM9001DA(DB) (10W-200W)方案应用参数

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7.RM9001DA(DB) 230V 15W 传导测试数据

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RM9001DA(DB) 方案应用不需要添加任何外围器件,传导辐射可以通过,并且裕量很大。